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1. 세계 최초 40나노급 32기가 D램 개발

반도체 강국으로서의 한국의 위상을 드높인 쾌거였다. 삼성전자는 신 개념 CTF(Charge Trap Flash) 기술을 적용한 40 나노급 32 기가바이트 낸드플래시 메모리 개발로 이분야 선두주자의 입지를 확고하게 굳힐 수 있게 됐다.

기존 플로팅 게이트 (Floating Gate) 기술이 가지는 초 미세화,대용량화의 기술적 한계를 극복한 혁신 기술로 나노 공정의 한계인 50 나노 장벽을 허물고 40 나노 이후의 차세대 공정 상용화 가능성을 제시했다는 세계 과학계의 평가가 이를 뒷받침한다.

새 기술을 이용하면 64 기가바이트 메모리 카드 제작이 가능하여 고해상도 사진 3만6000장 또는 영화 40편을 저장하거나 전 세계 5대양 6대주 대륙·해양 정보의 저장이 가능해진다.

40나노급 32기가 D램 개발은 또한 메모리 신 성장론을 7년 연속 재확인하는 계기가 됐다. 메모리 성장은 지난 2000년 512 메가에서 2006년 32 기가바이트로 뛰었고,이제 64기가 시대를 열었을 뿐 아니라 CTF 기술로 20 나노/256 기가급 제품까지 확대 적용할 수 있게 됨으로써 10년 이후 테라(기가의 1,000배) 시대 진입의 토대까지 마련하고 있다.

이로써 32 기가 낸드플래시가 양산될 예정인 2008년에는 MP3 음악 파일 8천곡을 저장할 수 있는 32기가바이트 미디어 플레이어 출시가 가능해졌으며,128 기가바이트 SSD(Solid State Disk)로 신규 PC 시장을 창출하는 등 IT 분야의 전반적인 성장과 변화를 주도할 전망. [ns2006yksci] ns2006ykorsci
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